新型存储产业发展战略研讨会
2015-06-09
2015年5月7日下午,工信部关于新型存储产业发展战略研讨会在北京航空航天大学如心会议中心中报告厅召开。中国科学院院士、工业与信息化部怀进鹏副部长,电子信息司刁石京司长,电子信息司彭红兵副司长,科技司李力副司长,人事教育司高东升副司长,北京市科学技术委员会闫傲霜主任,郑焕敏副主任,北京市经信委王学军副主任,中国电子科技集团公司董事长熊群力,紫光集团有限公司董事长赵伟国,华为公司副总裁蒋亚非,核高基总体组副总师、清华大学魏少军教授,中电海康集团董事长陈宗年,我校校长徐惠彬院士,以及费尔北京研究院首席科学家、法国科学院院士、2007年诺贝尔物理学奖获得者艾尔伯•费尔教授等嘉宾莅临现场。



研讨会第一部分学术讨论会由徐惠彬院士主持,徐惠彬院士在开场致辞中介绍了北京航空航天大学国际交叉科学研究院的概况,从2012年成立至今已发展为目前拥有两位诺贝尔奖获得者,具有一定国际影响力的学术机构。2014年,在学校与北京市的共同支持下,引进了诺贝尔物理学奖获得者、自旋电子学领域国际权威专家艾尔伯•费尔教授成立了北京费尔研究院,集合电子、计算机等北航强势专业,带动了学科建设。从成立至今短短一年多时间,费尔研究院已经取得了丰硕的成果,搭建了国内首个高真空15靶磁控溅射仪,承担科技部、自然基金委及北京市科研项目十余项。随后,怀进鹏副部长致辞,他对费尔教授在自旋电子学领域做出的卓越贡献给予了高度评价,并表示要促进与费尔教授的进一步交流探索,实现基础研究与产业发展的良性互动。
费尔教授首先阐述了自旋电子学中巨磁阻效应,及其对信息产业的重大推动,巨磁阻效应的发现在十年内将存储容量提升1000余倍,使硬盘市场的容量扩大到300亿美元,为实现高速搜索引擎,大容量网络存储,开辟“大数据”、“云计算”及“物联网”时代奠定了基础。之后,费尔教授介绍了隧穿磁阻效应,基于该效应的磁性随机存储器MRAM已经商业化,并被应用在有高可靠性需求的领域,如空客新型大飞机A350的机载电子系统。随后,费尔教授介绍了自旋转移力矩,通过将隧穿磁阻效应与自旋转移力矩结合,可研制新型大容量超低功耗磁随机存储器STT-MRAM,该技术目前已经成为半导体产业的焦点之一。最后,费尔教授介绍了自旋电子学在生物医学传感器、类脑计算芯片等其他领域的应用。报告结束后,与会领导、专家与费尔教授进行了广泛深入的探讨并合影留念。



研讨会第二部分存储产业发展战略研讨由刁石京司长主持,北航费尔北京研究院赵巍胜教授首先报告了国内外磁存储器发展现状和趋势,以及我国发展磁存储器战略路径,提议组建自旋电子协同创新中心和成立虚拟垂直整合的磁存储器研发联盟;华为公司代表李挺博士介绍了存储器趋势、应用及产业化,作为存储器应用单位,提议我国应加快推进STT-MRAM的国产化进程,这对于我国信息产业的自主可控具有重大意义;中电海康公司代表刘波博士介绍了磁旋存储产业发展规划和进展;北京智旋科技总经理郭玮博士介绍了STT-MRAM及其嵌入式和系统级设计应用。报告结束后,学术界与产业界专家展开了热烈讨论,分别发表了对我国自旋电子存储器产业化的看法。
其中,工业和信息化部人事教育司高东升副司长提出应制定国家级的战略行动方案,以推动自旋电子产业的快速发展,形成较强的国际竞争力;集国内产学研各方面力量,推动建立自旋电子协同创新中心。北京市科委闫傲霜主任与经信委代表王学军主任发言,闫主任对费尔北京研究院在广泛开展科技合作、人才培养等方面的工作给予了高度评价,指出费尔北京研究院的自旋电子产学研平台应更具开放性,吸引来自全球的人才进行协同创新,并表示北京市科委将继续支持费尔北京研究院的进一步发展。随后,中国电子科技集团董事长熊群力发表致辞,总结并展望了信息产业发展的趋势,指出了存储技术于信息产业的重要性;并从市场应用、技术研发等角度对基于自旋电子的存储器技术的发展提出了一系列建设性意见。最后,怀进鹏副部长对会议进行总结,他首先回顾了电子信息产业的沿革,指出产业发展的源动力之一是学科交叉。对未来产业发展趋势进行展望,指出存储技术对于信息产业的发展具有引领作用。新技术和产业升级离不开存储技术的不断进步,我国自旋电子存储技术领域尚与国际先进水平存在一定差距,集中力量进行协同创新,实现存储核心技术的国产化具有重大战略意义。