诺奖大师艾伯特·费尔:从基础科学走向创新

诺贝尔物理学奖获得者艾伯特·费尔教授访问讲座

2015-05-05
        54日,由北京航空航天大学国际交叉学科研究院、电子信息工程学院与法国驻华大使馆共同主办的诺贝尔物理学奖获得者艾尔伯·费尔教授访问讲座在北京航空航天大学新主楼第一报告厅举行。费尔研究院首席科学家艾尔伯·费尔教授、法国驻华大使馆科技参赞Norbert PALUCH先生、国家自然科学基金会代表邱春红女士,北京航空航天大学国际交流合作处马进喜处长,电子信息工程学院王祖林院长,人事处张义副处长,北京费尔研究院主任赵巍胜教授等专家领导出席讲座,并和费尔教授进行了亲切交流。

费尔教授在讲座中
        艾尔伯·费尔是法国物理学家,凝聚态物理学和自旋电子学领域的著名专家,法国科学院院士。费尔教授于1970年获得巴黎第十一大学物理学博士学位,1976年成为巴黎第十一大学教授,2007年被授予诺贝尔物理学奖。艾尔伯·费尔教授在NatureSciencePhys.Rev.Lett等重要国际学术杂志发表论文超过350篇,总引用次数超过17000次。他于20146月加盟北京航空航天大学,成立费尔北京研究院并担任首席科学家,荣誉教授及博士生导师。目前费尔北京研究院已拥有8位千人或青年千人计划专家,构建了国际一流的自旋电子基础研究平台。

参赞、赵巍胜教授于费尔教授座谈
        讲座在王祖林院长的欢迎致辞以及参赞先生关于中法科技合作成果的发言后拉开序幕,费尔教授从巨磁阻效应与硬盘磁头、磁性纳米新器件与磁性存储器、神经元器件与类脑计算三个实例出发,探讨了从基础科学研究到技术创新的发展经验与规律。以巨磁阻效应与硬盘磁头为例,1988年,费尔教授领导研究小组在铁、铬相间的多层薄膜中发现,改变结构中铁磁层的磁化方向,薄膜的电阻会因此发生显著变化,他把这种效应命名为巨磁阻效应(Giant Magneto-ResistiveGMR)。巨磁阻效应为制造更高灵敏度的硬盘磁头提供了可能,1994年,IBM的科学家研制出了基于巨磁阻效应的硬盘磁头。这一成果很快得到商业化,1997年,采用巨磁阻效应的硬盘磁头被推向市场,硬盘容量得到了千倍以上的提升,每年为全球创造数百亿美元的产值。2007年,费尔教授因发现巨磁阻效应被授予当年的诺贝尔物理学奖。

观众提问
        演讲完毕,参赞先生和赵巍胜教授与费尔教授进行了座谈,费尔教授解答了参赞先生关于研究队伍年轻化建设等问题,并和赵巍胜教授探讨了基础研究成果向技术创新转化法国与中国各自的现状和值得借鉴的经验。最后,费尔教授热情地回答了现场观众和事先收集的同学们最关心的一些问题,活动在阵阵掌声中圆满结束。
/  赵恒